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TSM10N60CI C0G /MOSFET N-CHANNEL
TSM10N60CI C0G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装散装

系列-

零件状态停產

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)750 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)45.8nC @ 10V

Vgs(最大值)±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1738pF @ 25V

FET 功能-

功率耗散(最大值)50W(Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型通孔

供应商器件封装ITO-220

封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片

供应商TSM10N60CI C0G
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